在工作中，有客户会盲目选型，可能是出于节省时间，也有可能是“过于自信”。例如，有些客户为了省事省时，khz晶振尺寸与mhz晶振尺寸采用同一个尺寸。因此在采购的时候会出现一个---的情况，就是很常规的时钟频点遇上mhz的尺寸，竟然会找不到货。当然找不到货，因为---没有这个规格生产。所以关于客户选型阶段，选择的晶宇兴能助您一臂之力。
选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，替代进口高稳晶振，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，替代进口高稳晶振厂家，晶振模块一般需要电源电流为10ma ~60ma。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
晶体振荡器实际应用的环境需要慎重考虑。例如，高强度的振动或冲击会给振荡器带来问题。除了可能产生物理损坏，替代进口高稳晶振加工，振动或冲击可在某些频率下引起错误的动作。这些外部感应的扰动会产生频率跳动、增加噪声份量以及间歇性振荡器失效。对于要求特殊emi兼容的应用，emi是另一个要优先考虑的问题。除了采用合适的pc母板布局技术，重要的是选择可提供辐射量小的时钟振荡器。一般来说，替代进口高稳晶振价格，具有较慢上升/下降时间的振荡器呈现较好的emi特性。我公司备有大量现货，有需要的客户，欢迎前来选择！
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